[发明专利]一种具有双基区，双发射区的新型SiC GTO器件在审
| 申请号： | 202011203998.7 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112289857A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王俊;梁世维;邓雯娟;刘航志;俞恒裕 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/744;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 肖乐愈秋 |
| 地址： | 410006 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种具有双基区，双发射区的新型SiC GTO器件，垂直方向从阳极至阴极依次包括：P+发射区、N型基区、P‑型漂移区、P型缓冲区及N+型衬底；且P+发射区连接器件阳极，N型基区连接器件门极，N+型衬底连接器件阴极；所述N型基区在纵向上至少为1层结构；所述P+发射区在纵向上至少为1层结构。本发明具有注入效率高，电流增益大，门极电流稳定性高，所需驱动电流小，驱动功率小等优点，适用于高压、高脉冲电流的应用场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双基区 发射 新型 sic gto 器件 | ||
【主权项】：
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