[发明专利]一种衬底型衍射光学元件VCSEL分光结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 202011204317.9 申请日: 2020-11-02
公开(公告)号: CN112117640B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 王智勇;李尉;代京京;叶征宇;兰天;李冲 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;G02B27/09;G02B1/14;G02B1/11
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人: 朱鹏
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种衬底型衍射光学元件VCSEL分光结构及制备方法,自下而上依次包括:热沉、底发射VCSEL阵列芯片、带有二元衍射光栅的衬底层、超表面结构层、保护层和增透膜层;所述衬底层的底部设有所述底发射VCSEL阵列芯片,所述衬底层的顶部设有二元衍射光栅,所述超表面结构层的组成微元呈正方形网格结构排布。本发明在底发射VCSEL芯片上键合衍射光学元件,将VCSEL芯片每个发光单元发射的激光分束,使输出激光束数量级增大;以及在衍射光学元件之上键合超表面结构层,用于激光分束后聚焦。本发明设计的衬底型衍射光学元件的VCSEL分光结构可以在半导体工艺下一步制成,且不需要外部光学元件,易实现器件小型化、芯片化。
搜索关键词: 一种 衬底 衍射 光学 元件 vcsel 分光 结构 制备 方法
【主权项】:
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