[发明专利]一种钨酸铋/羟基氧化铟复合光电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011207214.8 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN113293383B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 熊贤强;张晓;武承林;马博华;周睿;陈奕飞;程高飞;韩得满 | 申请（专利权）人： | 台州学院;台州市生物医化产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23F13/14 | 分类号： | C23F13/14;C23C28/04;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵琪 |
| 地址： | 318000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种钨酸铋/羟基氧化铟复合光电极及其制备方法和应用，属于防腐材料技术领域。本发明采用热蒸发法在基底的表面沉积Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 钨酸铋 羟基 氧化 复合 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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