[发明专利]基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用有效
申请号: | 202011207882.0 | 申请日: | 2020-11-03 |
公开(公告)号: | CN112255710B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 贾志泰;王涛;张健;陶绪堂 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | G02B1/02 | 分类号: | G02B1/02;G02B6/02 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 杨磊 |
地址: | 250199 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用。通过向纯相单晶光纤芯部注入激活离子等,可以实现全反射结构并有效降低纤芯尺寸,大幅度降低光波导模数,实现对传输光束的有效约束,完全取代玻璃光纤的传统工艺路线。通过优化注入离子的深度、浓度、类型等,精确调控单晶光纤的数值孔径形成全反射结构,实现高效的光波导性能,通过降低离子注入形成的掺杂纤芯的尺寸可以有效降低光波导模数。本发明可以避免包层涂覆带来的能量损失,制备效率更高,重复性更好,可控性更优的全单晶光纤。在光波导模数控制以及单模光波导,在远距离信息通讯以及高能激光领域有着重要的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 基于 离子 注入 技术 修饰 全单晶 光纤 制备 方法 及其 数值孔径 调控 应用 | ||
【主权项】:
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