[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011208819.9 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112331661B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 汤召辉;张磊;周玉婷;乔思 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括由第一材料层和第二材料层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括平台区和与平台区相邻的台阶区，平台区和台阶区的顶部为第二材料层；形成覆盖平台区上表面和台阶区表面的第三材料层；形成填充台阶区且覆盖平台区的第四材料层；去除平台区上的第三材料层和第四材料层，且保留位于平台区上靠近台阶区的边缘的第三材料层和第四材料层；进行第一次平坦化，第一次平坦化去除凸起的第四材料层，且停留在平台区上表面的第二材料层和第三材料层。该制作方法增大了接触孔的连接窗口，有效避免了平台区边缘处的过磨。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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