[发明专利]一种用于晶体生长的化料方法有效
| 申请号： | 202011209784.0 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112553683B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;雷友述;赵言;王刚 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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