[发明专利]一种在长石晶体中生长铜纳米材料的方法有效
| 申请号： | 202011210279.8 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112453419B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 周青超;王成思;沈锡田 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉）;滇西应用技术大学 |
| 主分类号： | B22F9/20 | 分类号： | B22F9/20;B22F1/00;C01B33/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在长石晶体中生长铜纳米材料的方法，该制备方法通过高温扩散的手段将铜元素引入到长石晶体内部，为了缩短长石晶体中铜纳米材料的生长周期，将长石晶体中生长铜纳米材料的过程分离为扩散和形核生长两个阶段。在扩散阶段通过增加扩散原料中铜的浓度加快铜由扩散原料到长石晶体的扩散过程。在形核与生长阶段不再添加扩散原料，进一步升高温度加快铜离子在长石晶体内部的扩散，加速铜纳米粒子生长过程。这种方法可以极大地缩短铜纳米材料在长石晶体内部的生长周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 长石 晶体 生长 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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