[发明专利]半导体器件的扩散阻挡部及方法在审
| 申请号： | 202011211593.8 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN113314458A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郭家邦;施奂宇;陈玟璇;蔡政伦;李亚莲;翁政辉;林俊杰;苏鸿文;刘耀闵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件的扩散阻挡部及方法。一种方法包括：在导电特征之上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以暴露导电特征的第一表面；用牺牲材料覆盖导电特征的第一表面，其中，绝缘层的侧壁不含牺牲材料；用阻挡材料覆盖绝缘层的侧壁，其中，导电特征的第一表面不含阻挡材料，其中，阻挡材料包括用过渡金属掺杂的氮化钽(TaN)；去除牺牲材料；以及用导电材料覆盖阻挡材料和导电特征的第一表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 扩散 阻挡 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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