[发明专利]单晶(Bi19有效

专利信息
申请号: 202011212900.4 申请日: 2020-10-28
公开(公告)号: CN112647132B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 王鲁香;艾礼莉;雒婉霞;贾殿赠;徐梦姣 申请(专利权)人: 新疆大学
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B7/10;C30B29/60;B01J27/06;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 乌鲁木齐合纵专利商标事务所 65105 代理人: 周星莹;汤洁
地址: 830047 新疆维吾尔自治*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明涉及卤硫化铋材料技术领域,是一种单晶(Bi19S27I3)0.6667纳米棒及其制备方法和应用,该单晶(Bi19S27I3)0.6667纳米棒,以五水合硝酸铋、碘化钾和硫代乙酰胺为原料制备了(Bi19S27I3)0.6667纳米棒。本发明采用一步水热法制备单晶(Bi19S27I3)0.6667纳米棒能够产生强还原性的光生电子,对高效的还原重金属离子非常有效;且具有杰出的光催化降解剧毒重金属Cr(VI)的效果,在可见光照射下,具有优异的光催化还原Cr(VI)的性能;另外,本发明制备方法易操作,原料廉价易得,适用于规模化生产;这对合成新型卤硫化铋材料及拓展其应用具有指导性的作用。
搜索关键词: bi base sub 19
【主权项】:
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