[发明专利]微型发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 202011214180.5 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112531082B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;商玉平;梅劲;董彬忠 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本公开公开了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。微型发光二极管外延片的每个量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，第一量子阱层和第三量子阱层均为In |
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| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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