[发明专利]一种氮化铝晶片热处理方法在审
| 申请号： | 202011216155.0 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112593293A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;王琦琨;雷丹;黄嘉丽;付丹扬;龚建超;刘欢;朱如忠 | 申请（专利权）人： | 奥趋光电技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余杭区余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于解决提升高难度氮化铝晶片制备中的晶片结晶质量、紫外透过率、加工成品率等方面的问题，提供了一种氮化铝晶片热处理方法，通过对氮化铝晶片在特定环境下热处理，有效改善上述问题以提升晶片质量与加工成品率。为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种氮化铝晶片热处理方法，包括如下步骤：准备单片或多片氮化铝晶片；将所述氮化铝晶片放入容器中，随即将所述容器放入高温设备中；所述高温设备对所述容器进行加热并保温一段时间，所述氮化铝晶片在流通保护气体下进行热处理；所述热处理保温结束后，降温至室温，并取出所述氮化铝晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶片 热处理 方法 | ||
【主权项】：
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