[发明专利]堆叠式存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202011218164.3 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114446334A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 康卜文;杨红;杨涛;王文武;李俊峰;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种堆叠式存储器及其制造方法，包括：多个存储裸片，每一存储裸片具有独立的熔断信息，熔断信息是将存储裸片中设置的预设数量的熔丝，按照熔丝的熔断排列组合方式熔断获得，每一存储裸片中预设数量熔丝的熔断排列组合方式是根据堆叠式存储器制造过程依序确定的；每一存储裸片可由包含熔断信息的信号单独选择和控制。本申请在去除逻辑裸片的基础上，在堆叠式存储器制造过程中，依序为每一存储裸片确定一种熔断排列组合方式，以获得一个独立的熔断信息，从而每一存储裸片可由包含熔断信息的信号单独选择和控制，从而每一存储裸片上也就不需要硅通孔来区分存储分区，进而可以达到减少硅通孔、节省成本的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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