[发明专利]一种半导体激光器芯片及制造方法有效
| 申请号： | 202011219328.4 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112332217B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 周立;王俊;谭少阳;李波;胡燚文 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/028;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器芯片及制造方法，其中，半导体激光器芯片包括：衬底；位于所述衬底表面的半导体结构层，所述半导体结构层背向所述衬底的表面与所述半导体结构层的侧壁之间具有过渡坡面；覆盖所述过渡坡面和所述半导体结构层的侧壁的保护结构；焊料层，位于所述半导体结构层背向所述衬底的一侧。保护结构覆盖过渡坡面和半导体结构层的侧壁，可以防止焊料连通半导体结构层导致短路，同时过渡坡面的设计可以防止直角边缘位置发生破损断裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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