[发明专利]用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液在审
| 申请号： | 202011219974.0 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112175756A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王辰伟;刘玉岭;罗翀;高宝红;何彦刚;张保国 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/86 | 分类号： | C11D1/86;C11D3/30;C11D3/33;C11D3/04;C11D3/16;C11D3/60;C11D11/00;C23G1/24 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 肖莉丽 |
| 地址： | 300130 天津市红桥*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液，旨在而提供一种成分简单，能够有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液。按质量百分比计由下述组分组成：螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.1‑15％，消泡剂1％，pH调节剂，去离子水余量；所述清洗液的pH值为7‑7.5；所述表面活性剂由阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂及阴离子表面活性剂复配而成。本发明的清洗液选用阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂复配，通过空间位阻作用，能有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面的大颗粒数及表面残留，从而提高器件的可靠性、电能性等性能，有利于提高器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 多层 互连 阻挡 cmp 表面 残留物 清洗 | ||
【主权项】：
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