[发明专利]一种异质集成二极管的SiC MOSFET器件在审
| 申请号： | 202011220341.1 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112349781A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 梁世维;王俊;刘航志;俞恒裕;彭子舜 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/80;H01L29/06;H01L27/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 肖乐愈秋 |
| 地址： | 410028 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种异质集成二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，包括自下而上依次设置有漏极、N+衬底、N‑外延层、P阱区的元胞结构；所述P阱区的表面设置有金属源极；所述N‑外延层的表面设置有半导体异质结结构；所述半导体异质结结构正面与金属源极连接；所述半导体异质结结构的两侧设置有栅极结构；所述栅极结构位于金属源极和N‑外延层之间；所述P阱区中具有N阱区；所述元胞结构最外侧的P阱区中还具有P+区，所述P+区和N阱区的引出端均与金属源极相连。本发明同时实现MOSFET正向导通特性和异质结二极管的反向续流特性，制备工艺与现有技术具有高度兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 二极管 sic mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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