[发明专利]一种长波长激光退火方法及装置在审
| 申请号： | 202011220515.4 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112435920A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 蒋一鸣;陈静;王纪军 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种长波长激光退火方法及装置，属于半导体行业激光退火技术领域。激光退火方法，利用脉冲信号的激光输出对晶圆进行退火处理，所述长波长激光退火方法中的激光具体为，采用长波长的半导体激光光源；以长度为1‑10mm，宽度为30‑500um的光斑尺寸为实际应用光斑尺寸；退火时的功率密度P范围为200‑5000kW/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 波长 激光 退火 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
