[发明专利]垂直非易失存储元件和制造方法在审
| 申请号： | 202011220876.9 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363146A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘金营 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 杨东明;金学来 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直非易失存储元件和制造方法，其中制造方法包括以下步骤：采用外延生长的方式制作垂直逻辑单元和垂直存储单元，垂直逻辑单元设置于SOI层的上方，垂直存储单元设置于垂直逻辑单元的上方，垂直逻辑单元具有GAA结构，垂直存储单元包括ONO结构。本发明基于GAA结构大幅度降低了存储单元的漏电流，减小了存储单元的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 非易失 存储 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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