[发明专利]用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模在审
| 申请号： | 202011221137.1 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112782931A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 申澈;李锺华;梁澈圭;公拮寓;徐暻原 | 申请（专利权）人： | 思而施技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国大邱广*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 紫外 光刻 空白 光掩模 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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