[发明专利]具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011221337.7 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112490287B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;陈丁波;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法。采用选区外延生长的方法，在AlGaN/GaN异质结侧壁生长p‑GaN形成p‑GaN/2DEG结。分别在p‑GaN和AlGaN/GaN异质结上制备p型和n型欧姆接触电极，在p‑GaN/2DEG结的AlGaN/GaN异质结一侧制备绝缘栅电极。本发明的GaN集成场效应晶体管同时具有增强型和耗尽型工作模式，同时采用基于AlGaN/GaN异质结的选区外延工艺避免制备互联金属，提高了集成器件的功能性，降低了集成器件的寄生效应，在高性能GaN功率器件和逻辑器件领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双工 模式 氮化 集成 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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