[发明专利]一种物理法制造纳米二氧化硅的工艺

摘要

本发明公开了一种物理法制造纳米二氧化硅的工艺，该工艺包括原料预处理，原料颗粒表面处理，一级破碎、粒子分散，二级破碎、粒子分散及均化步骤。本发明的物理法制造纳米二氧化硅的工艺制成的产品的晶态和粒度是现有工艺无法达到的；该工艺在产品纯度达到99.9%以上的基础上，可满足化工、电子、集成电路晶片和LED衬底材料CMP等不同行业需求，且呈现不同于非物理法制造工艺制造的产品的物理、化学特性；本发明制成产品的水性浆料固含量可达到50.5%，且常温下分散时间大于180天。对比现有的市场同等纯度的产品，本发明的工艺成本不足50%，本发明的工艺无易燃、易爆、有毒、强酸、强碱等危险原料，无高温、高压工艺过程。