[发明专利]一种晶圆片的寿命测试方法在审
| 申请号： | 202011221913.8 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112366146A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周迎朝;由佰玲;邓春星;原宇乐;董楠;苗向春;武卫;刘建伟;刘园;孙晨光;王彦君;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/307 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆片的寿命测试方法，步骤包括：氧化，至少在晶圆片的一个表面上形成一层氧化膜；钝化，在具有所述氧化膜的其中一个所述晶圆片表面上进行电荷沉积；测试，再对钝化后的所述晶圆片表面进行寿命测试。本发明测试方法为无损检测，无需对晶圆片进行化学钝化，即可对晶圆片体内载流子寿命进行检测，测试结果准确且测试效率高，测试完成后可以继续对晶圆片进行其他理化性质方面的检测及测试，提高晶圆片的利用率，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆片 寿命 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
