[发明专利]一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法有效

专利信息
申请号: 202011223576.6 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN112420900B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 黄小平;周杰;姚骏;颜子龙;昌竹;彭奉江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 周刘英
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种贵金属纳米颗粒‑量子棒阵列的偏振器件制备方法,属于光电技术领域。所述方法利用激光倏逝驻波聚焦沉积技术,制备极化固定的贵金属银纳米颗粒线阵列基底,该银纳米颗粒线阵列基底与附有聚酰亚胺PI取向层的玻片复合作为量子棒的定向模板,在制备的复合定向结构中注射半导体量子棒溶液,制备贵金属纳米颗粒阵列‑定向半导体量子棒复合发光器件,同时实现量子棒阵列的荧光增强与偏振发光。该方法制备的贵金属阵列‑量子棒定向排列的复合结构,荧光强度可调且具有较高的偏振度,有助于为液晶显示技术、纳米表征技术、固态偏振光源技术提供新的原理和方法。
搜索关键词: 一种 贵金属 纳米 颗粒 量子 阵列 偏振 器件 制备 方法
【主权项】:
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