[发明专利]零电荷电位基电容去离子有效
| 申请号： | 202011223759.8 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112441653B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 高欣;A·欧姆赛比;J·R·兰登;K·刘 | 申请（专利权）人： | 肯塔基大学研究基金会 |
| 主分类号： | B01D15/36 | 分类号： | B01D15/36;C02F1/469 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 彭立兵;林柏楠 |
| 地址： | 美国肯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是通过经表面改性改变电极表面的零电荷电位解决传统电容去离子(CDI)和膜电容去离子(MCDI)装置和方法的短寿命问题的电容(又称静电)去离子装置和方法。这样的电极表面改性提供极长寿命的电容去离子装置和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 电位 电容 离子 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肯塔基大学研究基金会，未经肯塔基大学研究基金会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011223759.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
