[发明专利]进气分布器及利用其在大型筒体构件上制备SiC涂层的方法

摘要

本发明提供一种SiC涂层制备方法，具体涉及一种进气分布器及利用其在大型筒体构件上制备均匀SiC涂层的方法。解决采用现有化学气相沉积法(CVD)无法在直径为1000mm左右、高度大于500mm的大型筒体构件上制备均匀SiC涂层的问题。进气分布器包括进气混气块、进气导流板及进气分布板；制备SiC涂层时，首先将进气分布器安装在炉体内，之后安装大型筒体构件并通气，进行SiC涂层沉积；进气分布器，可将三路进气按比例混和均匀并可导向输送至大型筒体内外壁的正上方，避免了反应气体沿炉膛中轴线直进直出造成的浪费，极大提高SiC涂层的沉积效率，保障SiC涂层的沉积均匀性。