[发明专利]一种铜铟镓硒叠层薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 202011226682.X | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112531048B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 彭寿;徐根保;郭小佳;张建伟;韩福英;孙旭 | 申请(专利权)人: | 凯盛光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0725;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 杨晋弘 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明公开一种铜铟镓硒叠层薄膜太阳能电池,包括相串联的下电池与上电池,所述下电池包含基底,基底顶面由下至上依次层叠有Mo电极层、CIS膜层、CIGS膜层、下In |
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搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒叠层 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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