[发明专利]一种BiVO4/MOOH的光电催化剂及其制备方法

摘要

本发明涉及一种BiVO4/MOOH的光电催化剂及其制备方法，所述钒酸铋薄膜厚度50~500 nm，所述金属包括Fe、Co和Ni中的一种或两种，所述基底为透明导电电极FTO、ITO、AZO、ATO或多孔电极泡沫镍或金属纳米线电极Cu、Au、Ag和Al。通过磁控溅射制备钒酸铋薄膜，通过后退火工艺获得高结晶质量的薄膜，再与制备好的钒酸铋薄膜表面沉积一层析氧催化剂MOOH（M=Ni，Co，Fe），从而获得性能最佳的表面修饰的钒酸铋光阳极薄膜；原位制备MOOH助催化剂，使其与BiVO4结合更好，更加均匀，更有利于光生电子和空穴在BiVO4与MOOH界面处的分离。