[发明专利]集成反向肖特基续流二极管的可逆导碳化硅JFET功率器件

摘要

一种集成反向肖特基续流二极管的可逆导碳化硅JFET功率器件，属于半导体功率器件技术领域。所述功率器件包括N型漂移区、位于N型漂移区上表面的正面结构和位于漂移区下表面的背面结构，背面结构包括N型漏极区，以及与N型漏极区欧姆接触的金属化漏极，正面结构包括N型源极区，以及与N型源极区欧姆接触的金属化源极。相较于现有的结构，本发明功率器件可以获得较高的沟道迁移率、较低的导通电阻，集成反向续流的肖特基势垒二极管有效提高了器件的集成度，降低了应用成本。