[发明专利]一种多晶氧化镓纳米片薄膜的制备方法在审
申请号: | 202011228206.1 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112281211A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 赵银女;闫金良;闫慧龙 | 申请(专利权)人: | 鲁东大学 |
主分类号: | C30B28/04 | 分类号: | C30B28/04;C30B29/16;C30B29/64;C30B33/02;B82Y40/00 |
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地址: | 264025 山东省烟台*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提出了一种多晶氧化镓纳米片薄膜的制备方法,包括:将加压氧气注入镓基室温液态金属;氧气气泡在镓基室温液态金属上升过程中,氧气气泡的内侧形成氧化镓纳米层;氧气气泡在去离子水中破裂,形成二维氧化镓纳米片的悬浮液;将二维氧化镓纳米片的悬浮液滴在衬底表面形成氧化镓纳米片薄膜;高温退火氧化镓纳米片薄膜得到多晶氧化镓纳米片薄膜。本发明工艺方法简单,不需要昂贵的薄膜沉积设备,成本低廉,具有重大的应用潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 氧化 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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