[发明专利]一种太阳能电池的空穴传输层材料、锑基太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种太阳能电池的空穴传输层材料、锑基太阳能电池及其制备方法，所述空穴传输层材料为2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌掺杂的2,9,16,23‑四‑叔丁基‑29H,31H‑酞菁铜(II)；所述2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌的掺杂量为0.005～0.5wt％。本发明提供的空穴传输层制备的锑基太阳能电池具有良好的水、热稳定性。还具有较高的电导率和高空穴迁移率。实验结果表明：掺杂后电导率提高32％，使得所述硫硒化锑太阳能电池的短路电流密度不低于23.54mA/cm2，太阳能薄膜电池的填充因子高于55％，光电转换效率不低于8.57％。