[发明专利]非易失性存储器装置的坏块检测方法以及测试系统在审
申请号: | 202011229786.6 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN113342255A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 尹明远;朱相炫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 方成;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种非易失性存储器装置的坏块检测方法以及测试系统。所述测试系统包括:非易失性存储器装置,包括在多平面模式下进行操作的多个存储器块;以及测试机,检测非易失性存储器装置的坏块。非易失性存储器装置生成基于用于坏块的检测的擦除循环是否进行的就绪/忙碌信号。当从在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块检测到至少一个正常块时,非易失性存储器装置生成具有第一忙碌间隔的就绪/忙碌信号。当在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块全部被检测为坏块时,非易失性存储器装置生成具有比第一忙碌间隔短的第二忙碌间隔的就绪/忙碌信号。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 装置 检测 方法 以及 测试 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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