[发明专利]纵向氮化物半导体晶体管装置在审
| 申请号： | 202011230488.9 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN113140629A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 高谷信一郎;白田理一郎 | 申请（专利权）人： | 高谷信一郎;白田理一郎 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种阈值电压偏差少的常关型纵向氮化物半导体晶体管装置，包括：包含氮化物半导体的漂移层、与漂移层电连接的信道区域、源极电极、漏极电极、栅极绝缘膜、栅极电极。所述栅极绝缘膜至少包括位于信道区域侧的第一绝缘膜、位于栅极电极侧的第二绝缘膜、在第二绝缘膜与栅极电极之间的第三绝缘膜，第二绝缘膜具有能阶位于第一绝缘膜及第三绝缘膜两者的带隙的内侧的电荷陷阱，且通过蓄积于电荷陷阱的电荷来调整阈值电压，所述阈值电压用于利用施加至栅极电极的电压而使信道区域的传导载流子实质上消失来阻断流动的电流。另外，在所述信道区域与所述栅极电极之间设置电荷蓄积用电极，且通过蓄积于所述电荷蓄积用电极的电荷来调整所述阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 氮化物 半导体 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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