[发明专利]气相沉积设备和气相沉积方法在审
申请号: | 202011232047.2 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112359347A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 张春雷;罗兴安;胡淼龙;蒋志超;王林 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 430079 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种气相沉积设备和气相沉积方法。气相沉积设备包括基座、阻挡部件和气体导流通道。基座用于承载衬底。阻挡部件环绕所述基座设置,所述阻挡部件具有延伸到位于所述基座上的衬底边缘上方的阻挡边。所述气体导流通道,布置为沿着所述衬底的边缘延伸,以向所述衬底的边缘引入惰性气体,其中所述惰性气体的气流方向与用于沉积的反应气体的方向相对。 | ||
搜索关键词: | 沉积 设备 和气 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的