[发明专利]一种裸硅封装MOS管在审
| 申请号： | 202011232322.0 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112420623A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 涂振坤;苗义敬;王泽斌 | 申请（专利权）人： | 普森美微电子技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/053;H01L23/16;H01L23/32 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种裸硅封装MOS管，包括底板、陶瓷座和MOS管本体，所述陶瓷座固定连接在底板上表面，所述陶瓷座上表面中间位置开设有圆弧槽，所述圆弧槽内壁粘接有橡胶条，所述陶瓷座表面分别固定连接卡座和连接座，所述连接座顶端铰链连接顶板，所述顶板上表面固定连接肋条，所述顶板下表面中间位置固定连接橡胶座。本发明通过顶板对MOS管本体进行抗压保护，防磨损和防撞击性能好，肋条提高顶板的结构强度，防止变形和断裂，陶瓷座对MOS管本体支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 mos | ||
【主权项】：
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