[发明专利]一种大厚度二氧化硅层生长方法在审
| 申请号： | 202011232599.3 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112408315A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李川;王军强;杨振;白振兴 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 710076 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大厚度二氧化硅层生长方法，所述二氧化硅层总厚度≥3μm，其特征在于包含以下步骤：采用干湿干氧化法，在硅片表面生长一层二氧化硅层(2)；采用低压化学沉积法，在所述一层二氧化硅层(2)上沉积另一层二氧化硅层(3)；采用干氧法，将所述另一层二氧化硅层(3)增密。采用本发明的方法可以高效率地制作大厚度的二氧化硅层，实现高质量的掩蔽作用，此外，本发明工艺简单安全，可批量生产制作，具有较强的工艺一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 厚度 二氧化硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
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