[发明专利]一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件有效
| 申请号： | 202011234410.4 | 申请日： | 2020-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN112331720B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;张弛;辛树轩;李胜;钱乐;葛晨;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 秦秋星 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件，包括：衬底、成核层、漂移区、沟道层、势垒层、第一p型氮化镓帽层、金属源电极、金属漏电极，所述第一p型氮化镓帽层上表面设有第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层、肖特基接触型金属栅电极，同时第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层上表面设有欧姆接触型金属栅电极，肖特基接触型金属栅电极与欧姆接触型金属栅电极侧壁直接接触。本发明在低栅压下可以有效消除电荷存储现象，保证了器件在重复开关工作条件下具有较高的阈值稳定性；在高栅压下可以降低器件的栅漏电，保证器件在高栅压下具有长期稳定的工作状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阈值 稳定性 氮化 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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