[发明专利]MOSFET器件交流动态参数测试校准装置及方法有效
| 申请号： | 202011235678.X | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112098799B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈明;李力;李治全;冷祥伟 | 申请（专利权）人： | 四川立泰电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 | 代理人： | 邢伟;潘银虎 |
| 地址： | 629000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOSFET器件交流动态参数测试校准装置及方法，属于MOSFET器件测试校准技术领域。所述装置包括具有测试爪和导轨的分选机、能够通过测试线与分选机电连接的测试仪、与测试仪配套的软件、开路校准管、短路校准单元和标准校准单元。所述方法包括：S1、短路校准；S2、开路校准并得到第一校准数据；S3、判断第一校准数据是否合格，如合格，则保存第一校准数据并进入步骤S4；S4、使用与测试仪配套的软件对标准校准管进行标准校准，得到第二校准数据；S5、判断第二校准数据是否合格，如合格，则保存并烧写第二校准数据。本发明的有益效果包括：能够消除校准测试时测试线、测试爪的线阻，得到更准确的校准数据。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 交流 动态 参数 测试 校准 装置 方法 | ||
【主权项】：
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