[发明专利]一种晶圆表面损伤层深度测量方法及系统有效
| 申请号： | 202011237065.X | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112355882B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 沈寒酉;李斌栋 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种晶圆表面损伤层深度测量方法及系统；该方法可以包括：在待测晶圆表面所选的测量点处进行减薄加工，形成所述测量点对应的凹面测量区域；通过择优腐蚀的方式对形成有凹面测量区域的待测晶圆进行刻蚀，以显现所述凹面测量区域中损伤层的缺陷；基于所述刻蚀完成后的凹面测量区域的几何参数以及所述刻蚀完成后的凹面测量区域中无损伤层的几何参数计算获得所述凹面测量区域中的损伤层深度；根据所有测量点对应的凹面测量区域中的损伤层深度获取所述待测晶圆的损伤层深度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 损伤 深度 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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