[发明专利]晶锭剥离方法及晶锭剥离装置有效

专利信息
申请号: 202011237230.1 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN112404735B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 王宏建;赵卫;杨涛;何自坚;王自 申请(专利权)人: 松山湖材料实验室;中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B23K26/352;B23K26/70;B24B1/00;H01L21/67
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 周宇
地址: 523830 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请实施例提供一种晶锭剥离方法及晶锭剥离装置,属于半导体衬底制备技术领域。晶锭剥离方法包括:将激光束聚焦于位于磁流变液中的晶锭内预设深度处,通过激光束完成对晶锭的预设深度处的预设剥离面的扫描加工,以使预设剥离面处形成改质层。对磁流变液施加磁场,使得磁流变液相对晶锭运动以磨抛并去除改质层。晶锭剥离装置用于进行晶锭剥离方法。激光剥离的过程中能够实现磨抛,在有效改善剥离表面质量的情况下,能够提高加工效率。
搜索关键词: 剥离 方法 装置
【主权项】:
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