[发明专利]非易失性存储器及其操作方法在审
| 申请号： | 202011237357.3 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112825259A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李珉贤;H.张;D.哈姆;C.刘;H.欣顿;金海龙;申铉振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;哈佛大学的校长及成员们 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/54;G11C13/04;G06N3/04;G06N3/067;G06N3/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，包括：电阻切换层；在电阻切换层上的栅极；在电阻切换层与栅极之间的栅极氧化层；以及在电阻切换层上并彼此隔开的源极和漏极。电阻切换层的电阻值基于照射在电阻切换层上的光的照度而改变，并保持为改变后的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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