[发明专利]半导体晶片切割工艺在审
| 申请号： | 202011239903.7 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112992760A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | M·M·戴;S·B·卡祖米 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体晶片切割工艺。该工艺包括用聚合物涂层涂布半导体晶片，将该晶片安置在胶带上且将该带安装在晶片框架上。该工艺进一步包括在该聚合物涂层内形成划割线以暴露晶片区，从而形成预处理产品。随后将该晶片框架安置在工艺腔室内的支撑物上，并且将框架盖安置在该晶片框架上方。该工艺进一步包括对该预处理产品进行等离子体蚀刻以去除该晶片的暴露区以分离该单个裸片。从该晶片框架上方去除该框架盖，并且将该经处理产品、晶片框架和胶带暴露于氧等离子体，以部分地去除该聚合物涂层的最外区，以在该单个裸片上留下残余聚合物涂层，从而形成后处理产品。然后去除该后处理产品的该单个裸片上的该残余聚合物涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 切割 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SPTS科技有限公司，未经SPTS科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011239903.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
