[发明专利]一种能够表征工艺参数偏差的硅基PIN光电探测器建模方法有效

专利信息
申请号: 202011240319.3 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN112364592B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 赵毅强;李尧;王秋纬;郑肖肖;冯书涵 申请(专利权)人: 天津大学合肥创新发展研究院
主分类号: G06F30/367 分类号: G06F30/367;G06F30/27;G06N3/0464;G06N3/084
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 郑浩
地址: 230000 安徽省合肥市经济技术开*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种能够表征工艺参数偏差的硅基PIN光电探测器建模方法,涉及器件建模与电路设计领域,解决如何基于工艺参数统计分布数据和测试结果展开优化,有效提高硅基PIN光电探测器的模型精度,为PIN光电探测器的设计制造和读出电路设计提供有力支撑的问题;针对目前器件制造工艺中存在的工艺参数偏差影响高精度探测器响应问题,提出能够表征工艺参数偏差的器件模型,对传统建模方法和流程进行优化,在器件建模理论分析过程中对器件制造流程中的非理想因素加以考虑,采用理论分析与实测数据反馈研究方法,侧重于建模方法优化,着眼于生产制造以及实际应用所带来的影响,重点考虑工艺偏差因素的影响与分布,实现建模的科学性与实用性。
搜索关键词: 一种 能够 表征 工艺 参数 偏差 pin 光电 探测器 建模 方法
【主权项】:
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