[发明专利]纳米贵金属颗粒修饰铁酸镍薄膜电阻式随机存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011240981.9 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112397647A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 郝爱泽 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046 新疆维吾尔自治*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米贵金属颗粒修饰铁酸镍薄膜电阻式随机存储器件及其制备方法，属于微电子新型非易失性存储器技术领域。该电阻式随机存储器件由导电衬底、纳米贵金属颗粒修饰铁酸镍薄膜和导电顶电极构成。构建这种存储器件的制备方法是采用简单的溶胶‑凝胶法制备纳米贵金属颗粒修饰铁酸镍薄膜，该方法容易控制薄膜化学成分、稳定性好、能达到分子级别水平、均匀致密无裂纹。在薄膜表面采用镀膜技术镀上导电顶电极而成。本发明中该电阻式随机存储器件表现出优异的开/关比、循环稳定性及保持特性。上述优异特性表明本发明在微电子非易失性存储器技术领域具有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 贵金属 颗粒 修饰 铁酸镍 薄膜 电阻 随机 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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