[发明专利]半导体封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011242550.6 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112103261A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;黄富强 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构及其制作方法，其方法包括在半导体芯片的第一表面或第二表面沉积预设厚度的第一金属；使一个半导体芯片上的第一金属与另一个半导体芯片上的第一金属串联接触；将接触后的半导体芯片放置在真空环境中，控制温度参数，使相接触的第一金属熔合在一起，形成合金接触层；将通过合金接触层相连接的多个半导体芯片进行封装。由于在制作过程中，使用的是沉积和真空合金的方法将两个或多个半导体芯片连接起来，并且两个金属接触面熔合形成合金接触层连接更加牢固和均匀，利于电流和热量以及应力的均匀性，提高了多芯片产品的通电流能力及质量稳定性，并且通过此种方法制造的半导体器件中不含铅，便于生产制作无铅绿色环保的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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