[发明专利]GaN基垂直LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011243560.1 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112510129B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 付羿 | 申请（专利权）人： | 晶能光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/46;H01L33/20;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基垂直LED芯片及其制备方法，从下至上依次包括：支撑衬底、金属反射层、孔洞反射层、P型电流扩展层、有源区发光层、N型电流扩展层及N电极，其中，P型电流扩展层为950～1000℃下生长的P型GaN层；孔洞反射层为500～700℃下生长的P型GaN层，具有V型孔洞。其在P型电流扩展层表面进一步生长具有V型孔洞的空洞反射层，该孔洞反射层和金属反射层的组合形式保证了垂直LED芯片发光效率的同时无需对外延片的上表面进行粗化，以此进一步保证了垂直LED芯片制备过程中的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 垂直 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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