[发明专利]负微分电阻电路以及神经元晶体管结构在审
| 申请号： | 202011244369.9 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112420841A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 唐可忱;赵帆 | 申请（专利权）人： | 佛山立正不锈钢工业管有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;G06N3/02 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 谢阅 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种神经元晶体管结构，包括：权重加和电路，包括并联的至少两个突触部、第一负微分电阻；各突触部的源极与第一负微分电阻的发射极分别连接至神经元晶体管的输出端；各突触部的漏极与第一负微分电阻的集电极分别连接至神经元晶体管的时钟电源端；阈值电路，包括突触缩放控制部和第二负微分电阻；突触缩放控制部的漏极与神经元晶体管的输出端连接、突触缩放控制部的源极与第二负微分电阻连接地；第一负微分电阻的发射极端与第二负微分电阻的集电端连接以作为神经元晶体管输出端；解决了现有技术中神经元晶体管功耗大的问题，优化了人工智能芯片的内部构造，以大幅度减少人工智能芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 微分 电阻 电路 以及 神经元 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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