[发明专利]存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202011244805.2 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112103292B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李洋;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法，所述存储器包括：依次并列设置的沟道层、隧穿层、选通层和存储层；所述选通层，具有开启状态和关闭状态；其中，处于所述开启状态的所述选通层导电，处于所述关闭状态的所述选通层电绝缘；在所述选通层处于所述开启状态且施加在所述隧穿层上的电压大于阈值电压时，所述隧穿层和所述选通层允许带电粒子在所述沟道层和所述存储层之间传输；在所述选通层处于所述关闭状态时，所述隧穿层和所述选通层阻挡带电粒子在所述沟道层和所述存储层之间传输。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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