[发明专利]一种三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202011246529.3 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112466886B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吴林春 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底结构；形成垂直沟道结构及栅线缝隙于基底结构中；去除栅极牺牲层，得到多条栅极横向缝隙；形成导电层于栅极横向缝隙中；形成侧墙保护层于栅线缝隙的侧壁；去除底部多晶硅层，得到底部横向缝隙；经由底部横向缝隙去除存储叠层的一部分以暴露出沟道层的一部分；形成底部多晶硅层于底部横向缝隙中；形成阵列公共源极结构于栅线缝隙中。本发明先形成栅极导电层，再进行底部牺牲层和此处存储叠层的去除，可以极大改善栅线缝隙侧壁保护层的工艺窗口，显著减小侧壁被湿法刻蚀损伤所造成的不利影响，此外，栅极导电层形成过程中沉积的粘附层有利于对底部拐角的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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