[发明专利]一种氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011247446.6 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112299401A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赫文秀;韩晓星;兰大为;张永强;孙雪姣;崔金龙 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C01B32/194 |
| 代理公司： | 北京律远专利代理事务所(普通合伙) 11574 | 代理人： | 全成哲 |
| 地址： | 014010 内蒙*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法，属于透明导电薄膜材料领域。提供的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜的制备方法包括在CVD法制备石墨烯薄膜时第一次掺杂适量氮硼和在将氮、硼共掺杂石墨烯引入目标基体时的第二次掺杂过程，两次掺杂工艺简单，掺杂剂掺杂稳定，使得制备得到的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜不仅具有较小的厚度，还具有较低的方阻，可以直接应用于高性能复合材料、柔性显示与柔性电子器件、电化学储能、光电检测与传感器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 石墨 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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