[发明专利]一种正交形栅测试结构及测试装置及方法及系统有效
| 申请号： | 202011248393.X | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112420671B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 林均铭;吴澄;杨治国 | 申请（专利权）人： | 普迪飞半导体技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 冯振华 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开实施例中提供了一种正交形栅测试结构及测试装置及方法及系统，属于半导体器件测试技术领域，具体包括半导体基底，多个鳍层，控制栅和隔离栅，其中每两个控制栅之间，间隔预定个数的隔离栅；第一金属连线，第一接触孔，交替设置于控制栅的两侧，第一接触孔中沉积有金属层，用于连接相邻的两个鳍层，以使多个鳍层形成一正交形结构。本方案用于检测因制造工艺出现问题导致的接触孔填充缺陷，有效找出工艺缺陷，获得失效点的位点图，具有较高的集成度和可观测性，有利于用户准确预测晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正交 测试 结构 装置 方法 系统 | ||
【主权项】：
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