[发明专利]基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件在审
| 申请号： | 202011249244.5 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112420810A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 徐杨;吕建杭;刘威;刘亦伦;刘晨;俞滨 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/768;H01L27/148 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 311215 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件，包括栅极、锗、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子被积累到硅衬底中的深耗尽势阱；红外光穿过硅层，被锗，以及锗与硅形成的异质结所吸收，在电场的作用下，产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。由于电容耦合效应，器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中电荷。锗作为窄带隙半导体，对红外波段光线的吸收能力卓越。本发明通过使用石墨烯和锗，拓展了传统CCD器件的光谱响应范围，极大提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单层 石墨 绝缘 结构 电荷注入器件 | ||
【主权项】：
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